casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C256M16D3B-12BCN
Número da peça de fabricante | AS4C256M16D3B-12BCN |
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Número da peça futura | FT-AS4C256M16D3B-12BCN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C256M16D3B-12BCN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (13.5x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BCN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C256M16D3B-12BCN-FT |
AT49F002A-55PI
Microchip Technology
AT49F002AN-55PI
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AT49F002ANT-55PI
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AT49F002AT-55PI
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AT49F002N-12PC
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AT49F002N-12PI
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AT49F002N-55PC
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AT49F002N-55PI
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AT49F002N-70PC
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AT49F002N-70PI
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XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
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A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
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10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
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LFE2-20SE-5FN256I
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10AX090U4F45I3LG
Intel