casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C1M16S-6TINTR
Número da peça de fabricante | AS4C1M16S-6TINTR |
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Número da peça futura | FT-AS4C1M16S-6TINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C1M16S-6TINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Tamanho da memória | 16Mb (1M x 16) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 2ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 50-TSOP II |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C1M16S-6TINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C1M16S-6TINTR-FT |
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWBX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWHX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWLX
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
PZ28F064M29EWTX
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel