casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C128M16D3-12BIN
Número da peça de fabricante | AS4C128M16D3-12BIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C128M16D3-12BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C128M16D3-12BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (13x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3-12BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C128M16D3-12BIN-FT |
AT49LV002T-12PC
Microchip Technology
AT49LV002T-12PI
Microchip Technology
AT49LV002T-70PC
Microchip Technology
AT49LV002T-70PI
Microchip Technology
AT49LV002T-90PC
Microchip Technology
AT49LV002T-90PI
Microchip Technology
NAND01GR3B2CZA6E
Micron Technology Inc.
AS7C256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-10TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel