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APTM120DA56T1G Image

Microsemi Corporation APTM120DA56T1G

Número da peça MFG
APTM120DA56T1G
Quantidade disponível
83580 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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APTM120DA56T1G Especificações

Número da peça de fabricante APTM120DA56T1G
Número da peça futura FT-APTM120DA56T1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
APTM120DA56T1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 672 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 390W (Tc)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SP1
Pacote / caso SP1
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA56T1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTM120DA56T1G-FT

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