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Microsemi Corporation APTM100DA18T1G

Número da peça MFG
APTM100DA18T1G
Quantidade disponível
93410 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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APTM100DA18T1G Especificações

Número da peça de fabricante APTM100DA18T1G
Número da peça futura FT-APTM100DA18T1G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
APTM100DA18T1G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 657W (Tc)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SP1
Pacote / caso SP1
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100DA18T1G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTM100DA18T1G-FT

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