casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGV50H60T3G
Número da peça de fabricante | APTGV50H60T3G |
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Número da peça futura | FT-APTGV50H60T3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGV50H60T3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Configuração | Full Bridge Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 80A |
Potência - Max | 176W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGV50H60T3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGV50H60T3G-FT |
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150A170G
Microsemi Corporation
APTGT150A60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
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