casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / APTGF75DA60D1G
Número da peça de fabricante | APTGF75DA60D1G |
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Número da peça futura | FT-APTGF75DA60D1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTGF75DA60D1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 355W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 75A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D1 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGF75DA60D1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTGF75DA60D1G-FT |
FD150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12IE5BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12KE4EBOSA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
6MS24017P43W41646NOSA1
Infineon Technologies
FF300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
Infineon Technologies
2LS20017E42W34854NOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation