casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT50GR120B2
Número da peça de fabricante | APT50GR120B2 |
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Número da peça futura | FT-APT50GR120B2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT50GR120B2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 117A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 200A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 694W |
Energia de comutação | 2.14mJ (on), 1.48mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 445nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 28ns/237ns |
Condição de teste | 600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GR120B2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT50GR120B2-FT |
RJH1CF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CM5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F0DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel