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Microsemi Corporation APT50GP60B2DQ2G

Name: APT50GP60B2DQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT50GP60B2DQ2G
Price: 11.460136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (87 reviews)

Número da peça MFG: APT50GP60B2DQ2G

Quantidade disponível: 88190 Peças

Preço de referência: USD 11.460136

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: POWER MOS 7® IGBT 600V 150A 625W TMAX

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - IGBTs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APT50GP60B2DQ2G.pdf

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APT50GP60B2DQ2G Especificações

Número da peça de fabricante	APT50GP60B2DQ2G
Número da peça futura	FT-APT50GP60B2DQ2G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	POWER MOS 7®
APT50GP60B2DQ2G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo IGBT	PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	150A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)	190A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 50A
Potência - Max	625W
Energia de comutação	465µJ (on), 635µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Carga do Portão	165nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C	19ns/85ns
Condição de teste	400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)	-
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / caso	TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	-
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50GP60B2DQ2G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APT50GP60B2DQ2G-FT

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