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Microsemi Corporation APT50GP60B2DQ2G
- Número da peça MFG
- APT50GP60B2DQ2G
- Quantidade disponível
- 88190 Peças
- Preço de referência
- USD 11.460136
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Microsemi Corporation
- Descrição breve
- POWER MOS 7® IGBT 600V 150A 625W TMAX
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - IGBTs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- APT50GP60B2DQ2G.pdf
APT50GP60B2DQ2G Especificações
| Número da peça de fabricante | APT50GP60B2DQ2G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-APT50GP60B2DQ2G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | POWER MOS 7® |
| APT50GP60B2DQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 190A |
| Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Potência - Max | 625W |
| Energia de comutação | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Carga do Portão | 165nC |
| Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 19ns/85ns |
| Condição de teste | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APT50GP60B2DQ2G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | APT50GP60B2DQ2G-FT |
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