casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT50GN60BG
Número da peça de fabricante | APT50GN60BG |
---|---|
Número da peça futura | FT-APT50GN60BG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT50GN60BG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 107A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 366W |
Energia de comutação | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 325nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 20ns/230ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GN60BG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT50GN60BG-FT |
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60D7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F6BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America