casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT50GN60BDQ2G
Número da peça de fabricante | APT50GN60BDQ2G |
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Número da peça futura | FT-APT50GN60BDQ2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT50GN60BDQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 107A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
Potência - Max | 366W |
Energia de comutação | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 325nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 20ns/230ns |
Condição de teste | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT50GN60BDQ2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT50GN60BDQ2G-FT |
RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D6DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17I7
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
EP3SL340F1760I4N
Intel
XC4VFX100-11FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176A
Microsemi Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation