casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT44GA60BD30
Número da peça de fabricante | APT44GA60BD30 |
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Número da peça futura | FT-APT44GA60BD30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 8™ |
APT44GA60BD30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 78A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 130A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 26A |
Potência - Max | 337W |
Energia de comutação | 409µJ (on), 258µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 128nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 16ns/84ns |
Condição de teste | 400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT44GA60BD30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT44GA60BD30-FT |
RGW00TK65DGVC11
Rohm Semiconductor
RGW00TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor
RJP4009ANS-01#Q6
Renesas Electronics America
RJP60F4DPM-00#T1
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RJP60V0DPM-00#T1
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RJH60D0DPM-00#T1
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RJH60D5DPM-00#T1
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RJH60D6DPM-00#T1
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