casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT41M80B2
Número da peça de fabricante | APT41M80B2 |
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Número da peça futura | FT-APT41M80B2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 8™ |
APT41M80B2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8070pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1040W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | T-MAX™ [B2] |
Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT41M80B2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT41M80B2-FT |
APL502LG
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APT34N80LC3G
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APT50M65LLLG
Microsemi Corporation
APT56F60L
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Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
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EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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