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APT40GP60B2DQ2G Image

Microsemi Corporation APT40GP60B2DQ2G

Número da peça MFG
APT40GP60B2DQ2G
Quantidade disponível
62540 Peças
Preço de referência
USD 10.429864
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS 7® IGBT 600V 100A 543W TMAX
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APT40GP60B2DQ2G.pdf
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APT40GP60B2DQ2G Especificações

Número da peça de fabricante APT40GP60B2DQ2G
Número da peça futura FT-APT40GP60B2DQ2G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS 7®
APT40GP60B2DQ2G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo IGBT PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 160A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A
Potência - Max 543W
Energia de comutação 385µJ (on), 350µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão 135nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 20ns/64ns
Condição de teste 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor -
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT40GP60B2DQ2G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APT40GP60B2DQ2G-FT

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