casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT36GA60BD15
Número da peça de fabricante | APT36GA60BD15 |
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Número da peça futura | FT-APT36GA60BD15 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 8™ |
APT36GA60BD15 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 65A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 109A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Potência - Max | 290W |
Energia de comutação | 307µJ (on), 254µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 18nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 16ns/122ns |
Condição de teste | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT36GA60BD15 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT36GA60BD15-FT |
RJH1BF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF4RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF5RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CM5DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F0DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
EX128-TQG100A
Microsemi Corporation
XC7K160T-2FBG676C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
EP2AGX45CU17I3N
Intel
5SGXMA3H2F35I3LN
Intel