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Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

Name: APT34N80B2C3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT34N80B2C3G
Price: 9.136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (524 reviews)

Número da peça MFG: APT34N80B2C3G

Quantidade disponível: 87750 Peças

Preço de referência: USD 9.136

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: - MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APT34N80B2C3G.pdf

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APT34N80B2C3G Especificações

Número da peça de fabricante	APT34N80B2C3G
Número da peça futura	FT-APT34N80B2C3G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
APT34N80B2C3G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	355nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	T-MAX™ [B2]
Pacote / caso	TO-247-3 Variant
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34N80B2C3G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APT34N80B2C3G-FT

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