casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT33GF120B2RDQ2G
Número da peça de fabricante | APT33GF120B2RDQ2G |
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Número da peça futura | FT-APT33GF120B2RDQ2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT33GF120B2RDQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 64A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 75A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Potência - Max | 357W |
Energia de comutação | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 170nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 14ns/185ns |
Condição de teste | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT33GF120B2RDQ2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT33GF120B2RDQ2G-FT |
APT64GA90LD30
Microsemi Corporation
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT50GR120L
Microsemi Corporation
APT70GR120L
Microsemi Corporation
APT85GR120L
Microsemi Corporation
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation