casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT30GN60BDQ2G
Número da peça de fabricante | APT30GN60BDQ2G |
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Número da peça futura | FT-APT30GN60BDQ2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT30GN60BDQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 63A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 90A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 203W |
Energia de comutação | 525µJ (on), 700µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 165nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 12ns/155ns |
Condição de teste | 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30GN60BDQ2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT30GN60BDQ2G-FT |
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D6DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
A54SX16P-TQG144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1K10TI100-2
Intel
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
XC6VLX760-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC2VP30-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation