casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT30GN60BDQ2G
Número da peça de fabricante | APT30GN60BDQ2G |
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Número da peça futura | FT-APT30GN60BDQ2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT30GN60BDQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 63A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 90A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Potência - Max | 203W |
Energia de comutação | 525µJ (on), 700µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 165nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 12ns/155ns |
Condição de teste | 400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30GN60BDQ2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT30GN60BDQ2G-FT |
RJP60V0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D6DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60D0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America
RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
A3PE600L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256T
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C7N
Intel
LFE2-12E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF780C3N
Intel
EP3CLS200F780C8N
Intel