casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT25GP120BG
Número da peça de fabricante | APT25GP120BG |
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Número da peça futura | FT-APT25GP120BG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT25GP120BG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 69A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 90A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
Potência - Max | 417W |
Energia de comutação | 500µJ (on), 438µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 110nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 12ns/70ns |
Condição de teste | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT25GP120BG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT25GP120BG-FT |
RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F6BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1BF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF4RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF5RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
RJH1CF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX16-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4N
Intel
5SGXMA5N1F40C2N
Intel
5SGSMD5K2F40C1
Intel
A42MX16-2TQ176
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6
Intel
EP4SGX70HF35I3N
Intel