casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT15GP90BDQ1G
Número da peça de fabricante | APT15GP90BDQ1G |
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Número da peça futura | FT-APT15GP90BDQ1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT15GP90BDQ1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 900V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 43A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 60A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 250W |
Energia de comutação | 200µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 60nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 9ns/33ns |
Condição de teste | 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GP90BDQ1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT15GP90BDQ1G-FT |
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor
GPA040A120L-FD
Global Power Technologies Group
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1C6F256I7
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSED8K3F40I3LN
Intel
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C20F400C8
Intel
EP4SGX360FF35I4
Intel