casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT15GP60BDQ1G
Número da peça de fabricante | APT15GP60BDQ1G |
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Número da peça futura | FT-APT15GP60BDQ1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT15GP60BDQ1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 56A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 65A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 250W |
Energia de comutação | 130µJ (on), 120µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 55nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 8ns/29ns |
Condição de teste | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 [B] |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT15GP60BDQ1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT15GP60BDQ1G-FT |
RJH60F4DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F7BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T46DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH65T47DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor
A54SX32-1TQ144
Microsemi Corporation
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672C8AA
Intel
EPF10K250EFC672-1
Intel
EP2C8F256C8
Intel
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
XC5VLX220T-2FF1738C
Xilinx Inc.
EP2S130F780C4
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel