casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / APT13003SZTR-G1
Número da peça de fabricante | APT13003SZTR-G1 |
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Número da peça futura | FT-APT13003SZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT13003SZTR-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1.3A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 450V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 250mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 1.1W |
Freqüência - Transição | 4MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT13003SZTR-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT13003SZTR-G1-FT |
FMMT591TC
Diodes Incorporated
FMMT596TC
Diodes Incorporated
FMMT597TC
Diodes Incorporated
FMMT618TC
Diodes Incorporated
FMMT620TC
Diodes Incorporated
FMMT625TC
Diodes Incorporated
FMMT634TC
Diodes Incorporated
FMMT6517TC
Diodes Incorporated
FMMT6520TC
Diodes Incorporated
FMMT717TC
Diodes Incorporated
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel