casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT11GP60BDQBG
Número da peça de fabricante | APT11GP60BDQBG |
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Número da peça futura | FT-APT11GP60BDQBG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT11GP60BDQBG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 41A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 45A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
Potência - Max | 187W |
Energia de comutação | 46µJ (on), 90µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 40nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 7ns/29ns |
Condição de teste | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT11GP60BDQBG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT11GP60BDQBG-FT |
RJH1CV7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
RJH60F0DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
RJH60F4DPQ-A0#T0
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RJH60F5BDPQ-A0#T0
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RJH60F5DPQ-A0#T0
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RJH60F7BDPQ-A0#T0
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RJH60T04DPQ-A1#T0
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RJH65D27BDPQ-A0#T2
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RJH65T14DPQ-A0#T0
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RJH65T46DPQ-A0#T0
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AGLN010V2-QNG48I
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A3PN250-2VQG100I
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AGL125V2-VQG100I
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10M40DAF484I6G
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EP2AGX45DF25C4N
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XC7K420T-L2FFG901E
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XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.