casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / APT10SCD120BCT
Número da peça de fabricante | APT10SCD120BCT |
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Número da peça futura | FT-APT10SCD120BCT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APT10SCD120BCT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 36A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120BCT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT10SCD120BCT-FT |
BAW56W,135
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAV99,215
Nexperia USA Inc.
BAS70-04,215
Nexperia USA Inc.
BAT54S,215
Nexperia USA Inc.
BAW56,235
Nexperia USA Inc.
PMBD7000,235
Nexperia USA Inc.
BAV70,215
Nexperia USA Inc.
BAW56,215
Nexperia USA Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel