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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG

Name: APT10M11B2VFRG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT10M11B2VFRG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (213 reviews)

Número da peça MFG: APT10M11B2VFRG

Quantidade disponível: 21680 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APT10M11B2VFRG.pdf

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APT10M11B2VFRG Especificações

Número da peça de fabricante	APT10M11B2VFRG
Número da peça futura	FT-APT10M11B2VFRG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	POWER MOS V®
APT10M11B2VFRG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	520W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	T-MAX™
Pacote / caso	TO-247-3 Variant
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M11B2VFRG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APT10M11B2VFRG-FT

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