casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOWF11N70
Número da peça de fabricante | AOWF11N70 |
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Número da peça futura | FT-AOWF11N70 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AOWF11N70 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 870 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Pacote / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF11N70 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AOWF11N70-FT |
ZXM62P03GTA
Diodes Incorporated
ZXM64N035GTA
Diodes Incorporated
ZXM64P035GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A25G
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GTA
Diodes Incorporated
DMG6402LVT-7
Diodes Incorporated
DMN4060SVT-7
Diodes Incorporated
DMN6040SVTQ-7
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel