casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOW11N60
Número da peça de fabricante | AOW11N60 |
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Número da peça futura | FT-AOW11N60 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AOW11N60 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 272W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW11N60 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AOW11N60-FT |
ZVN4306GVTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EP20K100FI324-2XV
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