casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / AON5820_101
Número da peça de fabricante | AON5820_101 |
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Número da peça futura | FT-AON5820_101 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AON5820_101 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 10V |
Potência - Max | 1.7W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DFN-EP (2x5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5820_101 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AON5820_101-FT |
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