casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / AON5802B
Número da peça de fabricante | AON5802B |
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Número da peça futura | FT-AON5802B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AON5802B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potência - Max | 1.6W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DFN-EP (2x5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5802B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AON5802B-FT |
FDMS3622S
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FDMS3620S
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A3PE600-FG484I
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A42MX16-1PQG100M
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
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