casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / AON2809
Número da peça de fabricante | AON2809 |
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Número da peça futura | FT-AON2809 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AON2809 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 12V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 6V |
Potência - Max | 2.1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DFN-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2809 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AON2809-FT |
DMN601DWKQ-7
Diodes Incorporated
DMN33D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMN63D8LDWQ-7
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-13
Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
DMN32D4SDW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DWK-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UT-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-13
Diodes Incorporated
DMP2200UDW-7
Diodes Incorporated
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel