casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / AON2801
Número da peça de fabricante | AON2801 |
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Número da peça futura | FT-AON2801 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AON2801 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 10V |
Potência - Max | 1.5W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-DFN-EP (2x2) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2801 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AON2801-FT |
DMN62D0UT-7
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LCMXO2-7000HC-6TG144C
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XC6SLX100T-N3FG676I
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XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
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EP4CE10E22C7N
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5SGXMA5K1F35C1N
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EP2AGZ350FF35I3N
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