casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO6411
Número da peça de fabricante | AO6411 |
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Número da peça futura | FT-AO6411 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | AlphaMOS |
AO6411 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.7W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
Pacote / caso | SC-74, SOT-457 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6411 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AO6411-FT |
2SK4093TZ-E
Renesas Electronics America
2SK4098FS
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2SK4144(01)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor
3SK318YB-TL-E
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3SK324UG-TL-E
Renesas Electronics America
5HN01C-TB-E
ON Semiconductor
5HN01C-TB-EX
ON Semiconductor
5HN01C-TB-H
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5HP01C-TB-E
ON Semiconductor
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel