casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO4435L_101
Número da peça de fabricante | AO4435L_101 |
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Número da peça futura | FT-AO4435L_101 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AO4435L_101 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO4435L_101 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AO4435L_101-FT |
2SK3483(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3484(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3703-1EX
ON Semiconductor
2SK3755-AZ
Renesas Electronics America
2SK3793-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3813-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SK3814(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel