casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO3416L_102
Número da peça de fabricante | AO3416L_102 |
---|---|
Número da peça futura | FT-AO3416L_102 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AO3416L_102 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3416L_102 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AO3416L_102-FT |
2SK1070PIETR-E
Renesas Electronics America
2SK2225-E
Renesas Electronics America
2SK2376(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3132(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3309(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3353(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3367(01)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3377(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel