casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores Magnéticos - Linear, Bússola (ICs) / ALS31300EEJASR-1000
Número da peça de fabricante | ALS31300EEJASR-1000 |
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Número da peça futura | FT-ALS31300EEJASR-1000 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ALS31300EEJASR-1000 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tecnologia | Hall Effect |
Eixo | X, Y, Z |
Tipo de saída | I²C |
Faixa de detecção | - |
Tensão - fonte | 2.65V ~ 3.5V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 6.7mA |
Corrente - Saída (máx) | - |
Resolução | 12 b |
Largura de banda | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Características | - |
Pacote / caso | 10-WFDFN Exposed Pad |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALS31300EEJASR-1000 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ALS31300EEJASR-1000-FT |
TLE493DW2B6A3HTSA1
Infineon Technologies
TLE4929CXAFM28HAMA1
Infineon Technologies
TLE4929CXANM28HAMA1
Infineon Technologies
SS495A-T2
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
SS495A1-T3
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
SS39ET
Honeywell Sensing and Productivity Solutions
AH8501-FDC-7
Diodes Incorporated
AH8502-FDC-7
Diodes Incorporated
AH8503-FDC-7
Diodes Incorporated
ZMY20TC
Diodes Incorporated
XCVU080-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C9L
Intel
EP4CGX30BF14C8N
Intel
5SGXMA5H3F35I4
Intel
EP1S30F780C8N
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel