casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / AIHD03N60RFATMA1
Número da peça de fabricante | AIHD03N60RFATMA1 |
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Número da peça futura | FT-AIHD03N60RFATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AIHD03N60RFATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 7.5A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 2.5A |
Potência - Max | 53.6W |
Energia de comutação | 50µJ (on), 40µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 17.1nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 10ns/128ns |
Condição de teste | 400V, 2.5A, 68 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3-313 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIHD03N60RFATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AIHD03N60RFATMA1-FT |
IGW60N60H3FKSA1
Infineon Technologies
IHW30N65R5XKSA1
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IKW60N60H3FKSA1
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