casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / A1P50S65M2
Número da peça de fabricante | A1P50S65M2 |
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Número da peça futura | FT-A1P50S65M2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
A1P50S65M2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Potência - Max | 208W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 4150pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ACEPACK™ 1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A1P50S65M2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | A1P50S65M2-FT |
IXGN400N60A3
IXYS
IXGN400N60B3
IXYS
IXXN200N60B3
IXYS
IXYN100N65A3
IXYS
IXYN120N120C3
IXYS
NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
DF300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
F3L200R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel