casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / A1P35S12M3
Número da peça de fabricante | A1P35S12M3 |
---|---|
Número da peça futura | FT-A1P35S12M3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
A1P35S12M3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 35A |
Potência - Max | 250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 35A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2154pF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ACEPACK™ 1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A1P35S12M3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | A1P35S12M3-FT |
GA400TD25S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90SA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB90DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT175DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETF075Y60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ENQ030L120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-50MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel