Número da peça de fabricante | A197B |
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Número da peça futura | FT-A197B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
A197B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A197B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | A197B-FT |
1N4054R
Powerex Inc.
1N4055
Powerex Inc.
1N4055R
Powerex Inc.
1N4056
Powerex Inc.
1N4056R
Powerex Inc.
1N4248
Semtech Corporation
1N4249
Semtech Corporation
1N5415
Semtech Corporation
1N5551
Semtech Corporation
1N5551C.TR
Semtech Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel