Número da peça de fabricante | A177N |
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Número da peça futura | FT-A177N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
A177N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2.3µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A177N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | A177N-FT |
1N1614R
Microsemi Corporation
1N1615
Microsemi Corporation
1N1615R
Microsemi Corporation
1N1616
Microsemi Corporation
1N1616R
Microsemi Corporation
1N3175
Microsemi Corporation
1N3176
Microsemi Corporation
1N3288
Microsemi Corporation
1N3288AR
Powerex Inc.
1N3288R
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel