Número da peça de fabricante | A170N |
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Número da peça futura | FT-A170N |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
A170N Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20mA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis, Stud Mount |
Pacote / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 200°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A170N Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | A170N-FT |
1N1205A
Microsemi Corporation
1N1205AR
Microsemi Corporation
1N1206
Microsemi Corporation
1N1206B
Microsemi Corporation
1N1206R
Microsemi Corporation
1N1341B
Microsemi Corporation
1N1342A
Microsemi Corporation
1N1342B
Microsemi Corporation
1N1344A
Microsemi Corporation
1N1344B
Microsemi Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel