casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 8EWS12S
Número da peça de fabricante | 8EWS12S |
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Número da peça futura | FT-8EWS12S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
8EWS12S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
8EWS12S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 8EWS12S-FT |
V20PW12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW60-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PW60HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20PWM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel