casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416S15YG
Número da peça de fabricante | 71V416S15YG |
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Número da peça futura | FT-71V416S15YG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416S15YG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 15ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S15YG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416S15YG-FT |
71V416L10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel