casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416S12YG
Número da peça de fabricante | 71V416S12YG |
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Número da peça futura | FT-71V416S12YG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416S12YG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 12ns |
Tempo de acesso | 12ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12YG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416S12YG-FT |
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel