casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416S12BE
Número da peça de fabricante | 71V416S12BE |
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Número da peça futura | FT-71V416S12BE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416S12BE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 12ns |
Tempo de acesso | 12ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12BE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416S12BE-FT |
7026S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel