casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416S10BE8
Número da peça de fabricante | 71V416S10BE8 |
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Número da peça futura | FT-71V416S10BE8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416S10BE8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S10BE8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416S10BE8-FT |
7026S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel