casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416S10BE8
Número da peça de fabricante | 71V416S10BE8 |
---|---|
Número da peça futura | FT-71V416S10BE8 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416S10BE8 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-CABGA (9x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S10BE8 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416S10BE8-FT |
7026S20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel