casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V416L10YG
Número da peça de fabricante | 71V416L10YG |
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Número da peça futura | FT-71V416L10YG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V416L10YG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 44-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10YG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V416L10YG-FT |
7143LA20JG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7133SA55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S20TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7006L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel