casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 71V256S10YG
Número da peça de fabricante | 71V256S10YG |
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Número da peça futura | FT-71V256S10YG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
71V256S10YG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-SOJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256S10YG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 71V256S10YG-FT |
71V424L15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel