casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 7164S100DB
Número da peça de fabricante | 7164S100DB |
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Número da peça futura | FT-7164S100DB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
7164S100DB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CerDip |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S100DB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 7164S100DB-FT |
IDT71256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA20PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel