casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / 7130LA20J
Número da peça de fabricante | 7130LA20J |
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Número da peça futura | FT-7130LA20J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
7130LA20J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Tamanho da memória | 8Kb (1K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 20ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 52-LCC (J-Lead) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 52-PLCC (19.13x19.13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7130LA20J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 7130LA20J-FT |
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2AZA6E
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